Images presented here may not fully represent the product
| Prąd roboczy układu I(A) = 50A | |||
| Typ | Napięcie [V] | Zintegrowane funkcje i parametry robocze | Zastosowanie |
| PM50CBS060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 3.7 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor ( osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin | |||
| PM50CSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 3.7 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające ( przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM50RSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM50RSD120 | 1200 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 18.5/ 22.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| Prąd roboczy układu I(A) = 75A | |||
| Typ | Napięcie [V] | Zintegrowane funkcje i parametry robocze | Zastosowanie |
| PM75CBS060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 5.5/ 7.5 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin | |||
| PM75CSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 5.5/ 7.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM75RSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 5.5/ 7.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| Prąd roboczy układu I(A) = 100 A | |||
| Typ | Napięcie [V] | Zintegrowane funkcje i parametry robocze | Zastosowanie |
| PM100CBS060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin | |||
| PM100CSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM100RSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM100RSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM100RSD120 | 1200 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 18.5/ 22 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| Prąd roboczy układu I(A) = 150 A | |||
| Typ | Napięcie [V] | Zintegrowane funkcje i parametry robocze | Zastosowanie |
| PM150CBS060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin | |||
| PM150CSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15/ 18.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM150RSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15/ 18.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM100RSD120 | 1200 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| Prąd roboczy układu I(A) = 200 A | |||
| Typ | Napięcie [V] | Zintegrowane funkcje i parametry robocze | Zastosowanie |
| PM200CBS060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 18.5/ 22 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin | |||
| PM200CSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 22 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM200RSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15/ 18.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| Prąd roboczy układu I(A) = 300 A | |||
| Typ | Napięcie [V] | Zintegrowane funkcje i parametry robocze | Zastosowanie |
| PM300CBS060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin | |||
| PM300CSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
| PM300RSD060 | 600 | Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm | poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników |
| zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) | |||
| układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT) | |||
| zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT | |||
| różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe) | |||
| obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S) | |||
korzystamy z usług firm kurierskich:
Adres:
ELTRON Spółka z ograniczoną
odpowiedzialnością Sp. k.
ul. Brodzka 10B
54-103 Wrocław
Kontakt:
Telefon: +48 71 343 97 55
E-mail: kontakt@eltron.pl
Znajdziesz nas na: