Tranzystory 100/150 V RF DMOS firmy ST są idealne do zastosowań przemysłowych, naukowych oraz medycznych. Charakteryzują się one mocą wyjściową do 1,2 kW oraz wzmocnieniem i wydajnością większą odpowiednio o 20 dB oraz 60%, przy jednoczesnym zachowaniu dobrze sprawdzonej wytrzymałości (nieskończona:1 VSWR) oraz niezawodności tranzystorów 50 V RF DMOS.
Kolejną istotną zaletą korzystania z 100/150V napięcia zasilania jest wyższa, optymalna impedancja obciążenia urządzenia, co oznacza niższe zapotrzebowanie na prąd, a w konsekwencji mniejsze straty rozproszeniowe w całym systemie.
Charakterystyka ogólna
Numer części | Opis ogólny | Obudowa | Obecność na rynku | Przemysł motoryzacyjny | Częstotliwość znamionowa(MHz) | Moc wyjściowa(Pout) znamionowa (W) | Wzmocnienie(PG) znamionowe (dB) | Napięcie zasilania tranzystora(Vdd lub Vcc) znamionowe (V) | Wydajność znamionowa(%) | R_th(J-C)(R_th(J-C)) maks. () |
SD3931-10 | 175W – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS | M174 | Tak | _ | 150 | 175 | 20 | 100 | 57 | 0,45 |
SD3932 | 350W – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS | M244 | Tak | _ | 150 | 350 | 24 | 100 | 60 | 0,37 |
SD3933 | 350W – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS | M177 | Tak | _ | 30 | 350 | 25 | 100 | 60 | 0,27 |
STAC150V2-350E | 500W – 150V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS klasy E | STAC177B | Tak | _ | 40,68 | 500 | 17 | 150 | 70 | - |
STAC3932B | 900W impuls – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS w obudowie STAC | STAC244B | Tak | _ | 123 | 900 | 20 | 100 | 65 | 0,28 |
STAC3932F | 900W impuls – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS w obudowie STAC bez kołnierza | STAC244F | Tak | _ | 123 | 900 | 20 | 100 | 65 | 0,28 |
STAC3933 | 350W – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS w obudowie STAC | STAC177B | Tak | _ | 30 | 350 | 25 | 100 | 60 | 0,22 |
STAC4932B | 1200W impuls – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS w obudowie STAC | STAC244B | Tak | _ | 123 | 1200 | 26 | 100 | 60 | 0,075 |
STAC4932F | 1200W impuls – 100V HF/VHF TRANZYSTOR DMOS w obudowie STAC bez kołnierza | STAC244F | Tak | _ | 123 | 1200 | 26 | 100 | 60 | 0,075 |