Logo
expand
logo

Dostępne tranzystory IGBT są dla napięć pracy 600 / 1200V i prądów od 2,5-75A z diodą lub bez diody zabezpieczającej.

logo
logo

Przy napięciach przebicia od 350V do 1300V tranzystory IGBT firmy ST uzyskują optymalny kompromis pomiędzy wydajnością przełączania a parametrami pracy w trybie załączonym, zapewniając przy tym energooszczędność w zastosowaniach takich jak m.in. sterowanie silnikiem, układy fotowoltaiczne, awaryjne jednostki zasilania, motoryzacja, ogrzewanie indukcyjne, spawanie, oświetlenie.